【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5455
利用課題名 / Title
α-Ga2O3のHVPE成長の高度化
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
化合物半導体/ Compound semiconductor, パワーエレクトロニクス/ Power electronics,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
大島 祐一
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
池田 直樹,藤井 美智子,浦野 絵里,古徳 浩一
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-636：マスクレス露光装置 [DL-1000]
NM-638：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
NM-649：FE-SEM+EDX [SU8230]
NM-655：分光エリプソメーター [M2000]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代パワーデバイス材料として期待されているα-Ga2O3の高品質な薄膜を成長する。
実験 / Experimental
α-Ga2O3の選択成長を行うため、①α-Ga2O3シード層上にマスクレス露光装置でレジストパターンを形成した。②レジスト開口部の残渣除去のために水蒸気プラズマ洗浄装置を用いた。③その上にスパッタでTiO2を成膜した。これらの成膜レートは段差計やエリプソメータで算出した。④リフトオフにより、TiO2マスクのパターニングを完了した。⑤TiO2マスク付きのα-Ga2O3シード層上に、ハライド気相成長法でα-Ga2O3を成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
TiO2マスク付きのα-Ga2O3シード層上に、ハライド気相成長法でα-Ga2O3を成膜したところ、TiO2マスクの開口部にのみ選択的にα-Ga2O3を成長することができた。また、マスク上にはk-Ga2O3の多結晶が堆積した。このことから、本実験でスパッタ成膜したTiO2は多結晶であったと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件