【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5492
利用課題名 / Title
SiN wafer bonding
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ダイシング/ Dicing,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
LIU Yang
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
藤井 美智子,浦野 絵里,尾崎 康子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-638：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
NM-656：ダイシングソー [DAD3220]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本装置群は、パワーエレクトロニクス用基板の低温接合を目的とし、異種材料の表面を活性化させることで、中間層を介さずに直接接合を実現する技術の開発を行うものである。さらに、接合強度の向上や長期信頼性の確保も視野に入れている。
実験 / Experimental
4インチSiNウエハを10×10mm角にダイシング加工した後、表面に酸素プラズマ処理を実施し、表面に付着した有機物や粒子状のコンタミネーションを除去する。この処理により、接合や表面改質の前工程として、クリーンで活性な表面状態を確保することができる。
結果と考察 / Results and Discussion
酸素プラズマ処理を実施した後、表面分析を行い、表面の清浄度や化学状態を評価した。その結果、有機物や微粒子などの汚染物が効果的に除去され、クリーンで均一な表面が得られた。これにより、後続の接合プロセスにおいて良好な接合性が確認され、接合界面の密着性や強度の向上にも寄与することが明らかとなった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Optical microscope image for SiN after O2 plasma
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件