【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5508
利用課題名 / Title
ナノシートの光電極応用
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電極材料/ Electrode material,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
谷口 貴章
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
TANJAYA Steven Novianto
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
藤井 美智子,大井 暁彦
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
太陽光応用光電極を用いた水分解によるＨ２製造はグリーン水素製造の重要である。Ｓｉは光電極用半導体として好適であるが触媒反応の活性サイトがないため、助触媒の担持が必要となる。本研究ではＳｉ上に酸素生成用助触媒となるＮｉ堆積するため電子線蒸着により堆積した。
実験 / Experimental
本研究ではｎ型シリコンに２nmのＮｉを電子線蒸着により堆積した。試料は１Ｍ ＮａＯＨ電解液中で、１ＳＵＮソーラシュミレーターにより照射し、アノード光電流を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
Ｎｉ層がないＳｉ基板ではマイクオーダーの光電流密度（A/cm2)であったが、2nm-Ni層を堆積することで電流密度はミクロオーダーまで上昇した。また、安定性の向上も見られた。従って、電子線蒸着に堆積された2nm-Ni層はＳｉに対して優れた助触媒として機能することが明らかになった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件