【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0359
利用課題名 / Title
ALDによるZnO透明電極、SiO2膜の作製
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光デバイス/ Optical Device,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高野 剛史
所属名 / Affiliation
株式会社SteraVision
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
レアメタルを含有しない透明電極材であるZnOはITOの代替材料として注目されている。ZnOにAlをドープしたAZOは抵抗値の安定が期待でき実績がある。我々のアプリケーションにおいて、AZO 膜に1500nm帯のレーザーを透過させるが、抵抗値と透過率はトレードオフの関係がある。透過率の最適化を期待して、AZOを大気中で加熱することにより抵抗値の制御を検討した。
実験 / Experimental
石英基板上にALD法を用いて、表層にSiO2の保護層を形成した40nmのAZO膜を成膜し、大気雰囲気でホットプレート上にて抵抗値の変化を評価した。ホットプレートは100℃に設定した。プロービング間隔は20mmで、プロービング箇所にはSiO2は形成されていない。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に示すように、初期抵抗は2.91kohmで、230min後には、3.94kohmとなった。その後、室温に戻し、15min後に抵抗値を確認したところ、4.15kohmであった。また、抵抗値の変化はほぼリニアに変化していた。本結果より、約1hourの100℃加熱により、～1kohm抵抗値を増加させることができ、リニアな変化から制御可能であることが確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ 100℃加熱時の抵抗値の変化
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
今後の課題AZO工程の量産時の低コスト化・用語説明 ALD：Atomic Layer Deposition(原子層堆積法)・謝辞 本研究実施にあたり、産業技術総合研究所山崎将嗣氏にはALD成膜サンプルの技術支援いただきました。感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件