利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.18】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0359

利用課題名 / Title

ALDによるZnO透明電極、SiO2膜の作製

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

光デバイス/ Optical Device,ALD


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

高野 剛史

所属名 / Affiliation

株式会社SteraVision

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-031:原子層堆積装置_1[FlexAL]


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

レアメタルを含有しない透明電極材であるZnOはITOの代替材料として注目されている。ZnOにAlをドープしたAZOは抵抗値の安定が期待でき実績がある。我々のアプリケーションにおいて、AZO 膜に1500nm帯のレーザーを透過させるが、抵抗値と透過率はトレードオフの関係がある。透過率の最適化を期待して、AZOを大気中で加熱することにより抵抗値の制御を検討した。

実験 / Experimental

石英基板上にALD法を用いて、表層にSiO2の保護層を形成した40nmのAZO膜を成膜し、大気雰囲気でホットプレート上にて抵抗値の変化を評価した。ホットプレートは100℃に設定した。プロービング間隔は20mmで、プロービング箇所にはSiO2は形成されていない。

結果と考察 / Results and Discussion

図1に示すように、初期抵抗は2.91kohmで、230min後には、3.94kohmとなった。その後、室温に戻し、15min後に抵抗値を確認したところ、4.15kohmであった。また、抵抗値の変化はほぼリニアに変化していた。本結果より、約1hourの100℃加熱により、~1kohm抵抗値を増加させることができ、リニアな変化から制御可能であることが確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1 100℃加熱時の抵抗値の変化


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

今後の課題AZO工程の量産時の低コスト化・用語説明 ALD:Atomic Layer Deposition(原子層堆積法)・謝辞 本研究実施にあたり、産業技術総合研究所山崎将嗣氏にはALD成膜サンプルの技術支援いただきました。感謝申し上げます。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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