利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.19】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24RO0011

利用課題名 / Title

原子層薄膜の構造・および化学特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

広島大学 / Hiroshima Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

磁性材料, オルターマグネット,X線回折/ X-ray diffraction,エレクトロデバイス/ Electronic device,スピントロニクスデバイス/ Spintronics device


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

藤澤  唯太

所属名 / Affiliation

広島大学放射光科学研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山田 真司,岡田 和志,水野 恭司

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術相談/Technical Consultation(副 / Sub),機器利用/Equipment Utilization


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

RO-526:薄膜構造評価X線回析装置(XRD)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

次世代のスピントロニクスおよびエレクトロニクスデバイスの開発において、優れた磁気特性を有する半導体・半金属材料の研究は極めて重要である。近年、新たな磁性材料として注目を集めているのが、MnTe や CrSb に代表される オルターマグネット である。これらの材料は特異な磁気秩序を示し、半導体デバイスプラットフォームへの統合が期待されている。オルターマグネットの応用を進めるためには、信頼性の高い 薄膜成長技術 および 評価手法 を確立することが不可欠である。本研究では、オルターマグネット薄膜、特に MnTe の絶縁基板(Al2O3)上での成長 を対象とし、分子線エピタキシー(MBE)システムを構築したので、その薄膜の結晶構造を評価するためにX回折(XRD)測定を行った。

実験 / Experimental

Al2O3基板上に成膜したMnTe薄膜のXRD測定を行った。装置にはリガクのATX-Eを用いた。測定温度は室温である。

結果と考察 / Results and Discussion

基板およびMnTe薄膜の(00L)回折ピークが観察できたことから、期待どおりMnTe薄膜ができていることを確認することができた。わずかながらMnTe(101)回折ピークも確認されたので、成膜条件を調整することで、理想的なMnTe(001)薄膜の作製に取り組む予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. Y. Fujisawa, H. Sato, K. Sumida, K. Miyamoto, M. Sawada, T. Okuda, "development of a molecular beam epitaxy system for the investigation of magnetic semiconductors/semimetals", International Workshop on Nanodevice Technologies (IWNT), Hiroshima, November 15,2024 (poster presentation))
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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