【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24RO0024
利用課題名 / Title
半導体に関する測定実習
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電気的特性の測定
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
遠堂 敬史
所属名 / Affiliation
北海道大学 総合イノベーション創発機構 ナノテクノロジー連携研究推進室
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
黒木 伸一郎,田部井 哲夫 ,山田 真司,岡田 和志,水野 恭司,坂本 弘樹,樋原 純子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
RO-511：プローバ
RO-512：半導体パラメータアナライザ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体素子の特性評価技術を習得を目的とし、MOSFET回路について、トランジスタ特性およびデジタル回路特性の測定を行った。
実験 / Experimental
RO-511(日本マイクロニクス社製 プローバー C-51)および、RO-512 (アジレント社製 半導体パラメータアナライザ ＨＰ4156他)を使用し、 pMOSとnMOSについて、トランジスタ特性とインバータ特性を測定した(Fig.1)。また、NANDゲートとNORゲート、RS-FFのデジタル回路特性を測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
半導体素子の特性評価技術を習得することができ、基本的な回路技術について学ぶことができた。Fig.2 nMOSのID – VD測定結果、Fig.3に nMOSのID, mg – VG測定結果、Fig.4にCMOSインバータ特性評価の結果をそれぞれ示す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 プロービングの様子
Fig.2 nMOSのID – VD測定結果
Fig.3 nMOSのID, mg – VG測定結果
Fig.4 CMOSインバータ特性評価の結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
広島大学ARIMプロジェクト支援室の皆様には大変お世話になりました。厚く御礼申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件