【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24RO0025
利用課題名 / Title
100nmパターニングでのAu蒸着膜のリフトオフ条件確立
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リフトオフ,電子線リソグラフィ/ EB lithography,リソグラフィ/ Lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
松岡 啓太
所属名 / Affiliation
フェニテックセミコンダクター株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
田部井哲夫
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
100nmパターニングでのAu蒸着膜のリフトオフ条件確立
実験 / Experimental
弊社でレジスト塗布したWfにRO-111にてEB描画し、弊社で現像処理を行った。
描画はCDのサイズ、描画エネルギーを振って行った。
結果と考察 / Results and Discussion
100nmのパターニングは上手くできず、振った条件では300nm程度のCDしか得られなかった。
また、リフトオフレジストのサイドエッチ量が大きく、図1の様にEBレジストが跳ね橋状に反り返ってしまっていた。
塗布から現像までに時間がかかった点、描画条件が最適化されていなかった点、
EBレジスト下地のリフトオフレジストの影響によりCDが広がった可能性が有る。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件