【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5520
利用課題名 / Title
縦型GaN on Siデバイス実現に向けた界面制御の基礎的研究
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
パワーエレクトロニクス/ Power electronics,電子顕微鏡/ Electronic microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
三石 和貴
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
川村 史朗
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
縦型GaN on Siデバイス実現のため低抵抗バッファー層およびフラックス法を用いて作製されたSi上のGaN薄膜に対するTEM観察を実施し、成長プロセスと界面・膜中の欠陥との関係を明らかにする。
実験 / Experimental
初期検討として、サファイヤ基板状にフラックス法を用いて成長させたGaN基板の断面TEM観察を実施した。試料はWedge研磨法を用い、広範囲での光学顕微鏡観察での観察結果と電子顕微鏡での観察結果の相関をしらべた。
結果と考察 / Results and Discussion
Wedge研磨で薄片化された試料の光学顕微鏡像からは、GaNが幾つかの異なる色の層状として観察された。TEMにそれぞれの対応するエリアに対する明視野・暗視野観察を行ったところ、それぞれの色の違いは欠陥密度に対応していることが明らかとなった。欠陥の密度は幾つかの段階で不連続に減っていることが明らかとなり、今後この原因を解明していく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件