【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0176
利用課題名 / Title
AgTeスパッタ薄膜の評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
熱電材料/ Thermoelectric material,X線回折/ X-ray diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
中岡 俊裕
所属名 / Affiliation
上智大学理工学部・機能創造理工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
土橋裕太
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
府川和弘,飯盛桂子
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
AgxTe1-x化合物は柔軟性と高い熱電特性を兼備する結晶が多く、フレキシブル熱電素子の材料として期待できる。本研究グループでは、これまで薄膜では人工的に作成できていなかった準安定相直方晶AgTeとアモルファスTeを含む薄膜のスパッタ成膜により作製している。Agの異常拡散により,熱平衡相図とは異なる結晶相が生成される.本研究では,様々なターゲット組成膜を様々な温度で熱アニールする.生成された結晶相をX線回折(XRD)測定で同定し,非平衡状態図を得ることを目的とする。
実験 / Experimental
Ag:Te=2:1, 1:1, 1:2, 1:9 のターゲットを用いてAgTeを含有する薄膜をスパッタ成膜した。それぞれ1Pa以下の真空下,160-210度で熱アニールした。Smartlab(9kW)を用いた薄膜法により、様々な熱アニール条件の素子をXRD測定した(SmartLab(9kW))。
結果と考察 / Results and Discussion
熱平衡相図との顕著な違いは次の2点であった。1つは最安定相である単斜晶Ag2Teの出現組成であり,熱平衡相図においてはx>0.625以上のAg-rich組成においてのみ現れるが,本作成手法においては,よりTe-richターゲットの成膜でも観測された。Ag異常拡散による相分離を示唆している。また,本XRD測定での単斜晶Ag2Te観測には,熱アニール200度以上が必要であった.Te昇華よる相対的な分量増加とアニールによるAg拡散促進の双方が理由と考えられる。2つめは準安定相である直方晶AgTeの出現である.Ag:Te=1:1ターゲット膜の180度アニールおよび,as-depositedのAg:Te=2:1ターゲット膜のフィラメント部でのみ観測された。Te昇華よる相対的な分量増加のために一定の熱アニールが必要であり,一方,190度以上ではAg5Te3への熱分離が生じることがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 室温スパッタ成膜による直方晶 AgTe の形成 , 土橋 裕太, 山澤 隼, 塚本 慶人, 中岡 俊裕, 2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会 [16p-C32-1~12] 2024年9月16日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件