【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0184
利用課題名 / Title
シリカ系非晶質材料の微細構造観察
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
核磁気共鳴/ Nuclear magnetic resonance,ナノ粒子/ Nanoparticles,ナノ多孔体/ Nanoporuous material,電子顕微鏡/ Electronic microscope,水素貯蔵/ Hydrogen storage,メソポーラス材料/ Mesoporous material
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
外山 直樹
所属名 / Affiliation
日本大学生産工学部環境安全工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
押川 浩之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では、合成したシリカ複合酸化物の形態観察を透過型電子顕微鏡（TEM）で行った。今回の検討では、シリカーチタニアやシリカーアルミナといったシリカ複合酸化物の形状を球状中空体にしたため、中空壁厚や粒径を確認することを目的とした。
実験 / Experimental
球状中空シリカーチタニアはポリスチレン粒子をテンプレートとしてゾル―ゲル法でその表面にコートした。今回は異なる前駆体量でゾルーゲル法を行った。それを焼成することによって球状中空体を合成した。また球状中空シリカーアルミナでは、ゾルーゲル法に超音波照射を組み合わせた方法で合成し,JEM-2010Fで観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
まず、球状中空シリカーチタニアをTEMで観察したところ、10～100 nmの範囲で中空壁厚を制御することができた。また球状中空シリカーアルミナでは、超音波照射時間が増大すると中空壁厚が増大することが明らかとなった。これは、超音波照射によってゾルーゲル反応が促進されたためであると考えらえる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
球状中空シリカーアルミナのTEM写真(a)超音波照射なし，(b)超音波照射あり
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 外山 直樹，永島 健寛，出口 建三，大木 忍，最上 祐貴，丹所 正孝，古川 茂樹，”超音波照射による球状中空シリカ-アルミナの 合成とそのアンモニアボラン加水分解活性”向きマテリアル学会第149回学術講演会（名古屋），令和6年11月7日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件