利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT0233

利用課題名 / Title

新規メタオプティクスのための誘電体薄膜作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者)/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed

キーワード / Keywords

誘電体メタサーフェス,光デバイス/ Optical Device,エリプソメトリ/ Ellipsometry,メタマテリアル/ Metamaterial,膜加工・エッチング/ Film processing/etching


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

小西 邦昭

所属名 / Affiliation

東京大学大学院 理学系研究科附属 フォトンサイエンス研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

袴田 祐生

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-303:分光エリプソメータ


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

可視光領域における誘電体メタサーフェスを作製するために、その材料となるSiN薄膜の屈折率と膜厚を高い精度で計測することが必要である。そのため、分光エリプソメーターを用いて計測および解析を行い、膜厚と屈折率を求めた。

実験 / Experimental

東京大学に設定されている分光エリプソメータ (M-2000DI-T)を用いて、シリコン基板上に製膜されたSiN薄膜に対する計測を行い、その膜厚と屈折率を求めた。入射角は、65°、70°、75°で行った。また、シリコン基板をエッチングするプロセスである、TMAHを用いたウェットエッチングの前後でSiNの膜厚がどう変化するかを調べた。

結果と考察 / Results and Discussion

測定の結果、厚さ約200nmのSiNの屈折率および膜厚を、190nm~1600nmの範囲で、高いフィッティングの精度で求めることができた。ただし、スパッタリングで製膜した自作したSiNの屈折率は、製膜中の窒素流量に敏感であり、条件出しが重要であることがわかった。また、80℃のTMAHに15分着けた場合、SiNの膜厚は全く変化しないことがわかった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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