【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0278
利用課題名 / Title
圧電薄膜の結晶構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
X線回折/ X-ray diffraction,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
矢吹 紘久
所属名 / Affiliation
アズビル株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
圧電材料を用いたMEMSデバイスの開発を行っているが、圧電膜の結晶成長に下地膜の品質が大きく影響することが分かっている。
そこで、東京大学で保有している高輝度In-plane型X線回折装置SmartLab(9kW)を用いて、圧電材料下地膜として使用しているMoの品質を調査した。
実験 / Experimental
シリコンウエハ上に以下2種の薄膜構造をスパッタによって成膜した。1. Mo (200nm)2. Mo/AlN (200nm/200nm)
これらの薄膜に対してロッキングカーブ計測、半値幅を確認することで、それぞれの薄膜の結晶構造の品質を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
Mo薄膜とMoの下にシード層としてAlNを成膜したMo/AlN構造をそれぞれ用意し、それらに対してロッキングカーブ計測を行い、その品質を評価した結果をFig.1に示す。
Fig.1の結果からもわかるように、AlNをシード層として製膜したMo/AlNの方が大きく品質が向上しており、下地の膜によって結晶品質に影響があることを確認できた。
今後は、この下地膜をベースに圧電材料を成膜し、高品質な結晶構造の圧電材料を成膜することを計画している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Rocking curve measurement
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件