【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0300
利用課題名 / Title
GaAs基板表面に形成された周期的ファセット解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies
キーワード / Keywords
資源代替技術/ Resource alternative technology,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子回折/ Electron diffraction,太陽電池/ Solar cell
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宮下 直也
所属名 / Affiliation
電気通信大学基盤理工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
GaAs単結晶基板表面に形成された周期的ファセットの面指数の解析、および解析手法の検討を行う。
実験 / Experimental
機械的剥離手法により単結晶表面に周期的ファセットが形成された試料を用い、SEM-EBSD装置（JSM-7000F, ID: UT-103）により微細なファセット構造の観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
測定に用いた試料表面には単結晶構造を基とする周期的なファセット構造が形成されており、通常EBSD分析を行う際の表面平坦化は行っていない。はじめに、(100)面に対してEBSD分析を行ったところ、ファセット構造には拠らず概ね一様な(100)回折に由来するシグナルを得た。電子線はファセット表面から一定の深さに浸入し、(100)回折条件に従う単結晶バルク部の回折シグナルが支配的に検出されたことを示唆している。したがって、原理的には単純にファセット表面に基づく有意な強度の回折情報を得ることは困難であることを確認した。そこで、試料を傾斜させ、測定対象のファセット面を分析面に平行にした状態で測定を行った。これにより、今回用いた試料のファセット面が(311)面に近いものであることを間接的に確めることができた。入射、反射、回折ビームのアライメント制御によって、微小な3次元構造を非破壊に分析できることを示唆した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件