【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.04】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0308
利用課題名 / Title
2D material surface characterization
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
Cu/Al2O3, 配向,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子回折/ Electron diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Chen De-Chian
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
スパッタされたサファイア上の銅の結晶相をさらに評価する必要があります。アニール処理された銅は双晶状態を示す可能性があるため、銅の配向が均一であるかを確認するためにEBSD解析が必要です。この点において、アニール実験条件と相の均一性の関係を調査し、表面配向が結果と一致しているかを確認したいと考えています。
実験 / Experimental
Cu/Al2O3試料は、3 Torrの低圧環境下で、200 s.c.c.m.の水素雰囲気中、1000℃および1050℃で1時間アニール処理を行いました。処理後、試料は汚染を防ぐために真空密封された容器内で一晩保存されました。その後、試料を取り出し、室温下でFE-SEM（JSM-7000F）を用いて表面観察を行いました。さらに、表面配向を調べるために、対象領域に対してEBSD測定を実施しました。
結果と考察 / Results and Discussion
1000℃でのアニール後、銅の配向には1.8%の双晶構造が確認されました。一方、1050℃でのアニール後は、双晶構造の割合が0.2%にまで減少しました（Fig.1）。
この事から高温によって配向の均一性が確かに向上することが確認されました。しかしながら、アニール時間やその他の実験要因も考慮すべき重要な要素であると考えています。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 EBSD of Cu(111) surface after annealed under 1050 degree Celsius
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
Ref.
1. Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111) - Nature, 579, 219–223 (2020)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件