【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0318
利用課題名 / Title
アブレーション蒸着による金属の多孔質薄膜の構造調査
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
センサ/ Sensor,電極材料/ Electrode material,電子顕微鏡/ Electronic microscope,イオンミリング/ Ion milling,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,環境発電/ Energy Harvesting
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
神舘 彰吾
所属名 / Affiliation
東京大学大学院新領域創成科学研究科先端エネルギー工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-102：高分解能走査型分析電子顕微鏡
UT-105：高分解能走査型分析電子顕微鏡
UT-153：クロスセクションポリッシャー(CP)
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高圧ガス雰囲気下のパルスレーザー堆積(PLD)法を用いた成膜実験で、タングステン(W)多孔質構造が形成されることが知られている。この薄膜が光電気化学的水分解やガスセンサーの電極として利用できる可能性があり、成膜時間も短時間であるため、PLD法により作製されたW多孔質薄膜が期待されている。しかし、PLD法によるW多孔質構造の形成条件や構造特性が十分に調査されていないため、本研究では形成条件や構造特性を調査した。
実験 / Experimental
QスイッチNd:YAGレーザーを用い、Wターゲットにレーザーを照射し、雰囲気ガス下(ヘリウム、アルゴン、酸素)でW基板上に堆積させた。試料作製後、基板表面およびクロスセクションポリッシャー（SM-09010、SM-09020）で切断した断面構造を走査型電子顕微鏡（JSM-7800F, JSM-IT800SHL）で観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
走査型電子顕微鏡の表面および断面観察により、Ar 100 Paの雰囲気ガス下において、W多孔質構造が形成されたことが分かった。ガス圧を増加されるにつれ均一な膜から多孔質な膜に変化したため、気相中でのW粒子の拡散やエネルギー緩和が関与していることが示唆された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件