利用報告書 / User's Reports

  • 印刷する

【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.30】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT1264

利用課題名 / Title

ナノスパイヤの作製と垂直MEMSプローブ応用検討(2024)

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者)/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

PVD,スパッタリング/ Sputtering,リソグラフィ/ Lithography,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,先端半導体(超高集積回路)/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),チップレット/ Chiplet,ハイブリッドボンディング/ Hybrid Bonding


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

三田 吉郎

所属名 / Affiliation

東京大学工学系研究科電気系工学専攻

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

島村龍伍,廣安幸四郎,中根了昌,安永竣

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

水島彩子,井上友里恵,藤原誠,澤村智紀,太田悦子

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503:超高速大面積電子線描画装置
UT-711:LL式高密度汎用スパッタリング装置 (2018)
UT-603:汎用高品位ICPエッチング装置
UT-800:クリーンドラフト潤沢超純水付
UT-900:ステルスダイサー


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

武田先端知ビルスーパークリーンルームでプロセス開発に成功した先駆者から寄附を受け、技術を育てて次世代につなぐ寄附講座「ナノシステム集積技術の創製」活動として、自己整合的に作製されるナノコーン形状を多用途に活用する研究を進めている。本課題では、垂直接合時に絶縁膜(意図して製膜する場合,意図しない製膜の両方を含む)を積極的に破壊する「ペネトレーター」構造として報告された(23UT1181)ナノコーン構造を、MEMSプローブに適用するための検討を行った。

実験 / Experimental

図1(a)にあげる製造手法は前年度報告(23UT1181)と基本的に同一である。具体的には、全ての構造を東京大学ARIM微細加工部門(武田先端知スーパークリーンルーム)で行 なった。電気的計測を行なうことのできる「テスト構造」を2枚のチップレットと して実現した。そのうち片方に、ナノ描画(電子線描画装置F7000S-VD02を利用)によって描画し、エッチングで形成したホールに方向性蒸着を施すことによって自己整合的に作製されたナ ノスピント構造を形成した。もう片方には、ショートバー構造(電気配線)をほどこし、絶縁膜を意図的に製膜した。製膜材料はバイオ分野で多用されるパリレン(R)を 製膜した。 2024年度はプロセス条件の検討、見直しをおこない、より安定的に試作ができるようになった[1]。

結果と考察 / Results and Discussion

作製したチップを自作治具に取り付け、金属薄膜を製膜した対向チップに押し当てて、高精細電子顕微鏡により写真を撮影し、図1(b)に示すような押し当て痕を計測した。結果を2025年3月春季応用物理学会で発表した[2]。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1 ナノスパイヤの作製法(a)と金属薄膜に押しあてた痕の解析例(b)


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

島村龍伍「五十嵐賞」電気学会センサ・マイクロマシン部門(2024.11)受賞


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 島村 龍伍、三角 啓、安永 竣、肥後 昭男、中根 了昌、三田 吉郎, 「[16p-P11-12]サブミクロン垂直 MEMS プローブのための Mo ナノスパイアの検討」2025年第72回応用物理学会春季学術講演会、2025年3月14-17日、東京理科大学(千葉県野田市) (2025.03.16)
  2. 島村龍伍、三角啓、安永竣、肥後昭男、中根了昌、三田吉郎「ナノスパイアを用いた絶縁層貫通式接続機構の実現」、第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム、仙台、2024年11月25日-28日、25P2-M-3(2024.11.25)
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

印刷する
PAGE TOP
スマートフォン用ページで見る