利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.03.04】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24HK0012

利用課題名 / Title

ALDを使用した導電膜の成膜検討

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

原子薄膜/ Atomic thin film,ALD


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

阿賀 寿典

所属名 / Affiliation

ミツミ電機株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

佐々木 仁,中村 圭佑,遠堂 敬史,松尾 保孝

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術代行/Technology Substitution


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-616:原子層堆積装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ALD装置を使用して導電膜が形成可能かを確認した。

実験 / Experimental

田中貴金属製のRuプリカーサ(TRust)を使用し、ALDでRuが成膜可能か確認を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

ALD:原子層堆積装置 HK-616を使用し、Ruが成膜可能なことがわかった。成膜結果の写真と断面SEM観察の結果をスライド1、成膜レシピをスライド2にそれぞれ記載する。CVD成長は確認できなかった。ALD成膜レシピは適当だと判断します。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


スライド1



スライド2


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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