【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.04】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24HK0012
利用課題名 / Title
ALDを使用した導電膜の成膜検討
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
原子薄膜/ Atomic thin film,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
阿賀 寿典
所属名 / Affiliation
ミツミ電機株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐々木 仁,中村 圭佑,遠堂 敬史,松尾 保孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ALD装置を使用して導電膜が形成可能かを確認した。
実験 / Experimental
田中貴金属製のRuプリカーサ（TRust）を使用し、ALDでRuが成膜可能か確認を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
ALD:原子層堆積装置 HK-616を使用し、Ruが成膜可能なことがわかった。成膜結果の写真と断面SEM観察の結果をスライド1、成膜レシピをスライド2にそれぞれ記載する。CVD成長は確認できなかった。ALD成膜レシピは適当だと判断します。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
スライド1
スライド2
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件