【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.09】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24HK0015
利用課題名 / Title
溝付き基板に対する異種材料の埋め込み方法の検討
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,センサ/ Sensor,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐野 耕平
所属名 / Affiliation
AGC株式会社先端基盤研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小野良貴,峰雪序也,赤木優英,磯邉和男,安田興平
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
中村 圭佑,大西 広,遠堂 敬史,松尾 保孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
HK-620：ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素）
HK-619：ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素）
HK-617：原子層堆積装置（粉末対応型）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
微細構造付きの基板に対する異種材料の埋め込み方法の検討を行う。本研究では、ICP-RIE法による基板上への微細溝の形成をおこなう。また、ALD法で得られる膜質を調査した。
実験 / Experimental
基板は厚み0.5 mmtの石英ガラスを用いた。微細溝の形成は厚さ1.0 umのフォトレジストのL＆SパターンをマスクとしたICP-RIEで実施した。
ALD法はTiO2を100 nm狙いで成膜した。成膜時の温度を変更した際に得られる膜の粗密を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
石英ガラスとフォトレジストのエッチング選択比は約2.0であった。本実験系で石英ガラス基板上に深さ2.0 umの微細溝の形成が達成された。
ALD法でのTiO2の成長では、基板温度を低くすることで緻密な膜が得られることが判明した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
ICP-RIEで微細溝形成した石英ガラス基板の表面SEM像
高温条件でALD成膜したTiO2の表面SEM像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件