【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.18】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24HK0111

利用課題名 / Title

ALDの成膜・分析

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

原子薄膜/ Atomic thin film,ALD,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,集束イオンビーム/ Focused ion beam,電子分光/ Electron spectroscopy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

上田 悠介

所属名 / Affiliation

株式会社SCREENホールディングス

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

佐々木 仁,中村 圭佑,山﨑 郁乃,澤 厚貴,遠堂 敬史,松尾 保孝

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-616：原子層堆積装置
HK-406：X線光電子分光装置
HK-706：エリプソメータ
HK-304：集束イオンビーム加工・観察装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ALDを用いて遷移金属酸化物を成膜する

実験 / Experimental

(1)HK-616 原子層堆積装置を用い、150degC~300degC、8時間で成膜した。
(2)HK-406 X線光電子分光装置を用い、着膜を確認した。
(3)HK-706 エリプソメーターを用いて、膜厚を測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

いずれの温度条件においても、目的とした遷移金属酸化物の成膜を確認できた。また、膜厚測定から各温度条件におけるGPCを算出することができた。作製したサンプルについては、今後、XRDなどを用い結晶性や優先方位などを評価する。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件