【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.09】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24HK0127

利用課題名 / Title

ALDを用いた高誘電膜および導電膜の成膜

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ALD,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

金田 達志

所属名 / Affiliation

日産自動車株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

松尾保孝,遠堂敬史,佐々木仁,中村圭佑

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-618：プラズマ原子層堆積装置
HK-616：原子層堆積装置
HK-404：超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
HK-304：集束イオンビーム加工・観察装置
HK-107：量子・電子制御ナノマテリアル顕微物性測定装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

原子層堆積法を用いた、高誘電膜の成膜を検討している。そのため、デバイス適用可否を検討するため、成膜した膜の特性を十分に把握する必要がある。

実験 / Experimental

北海道大学所有のALD装置で高誘電膜の成膜を行い、膜質の評価を進める。

結果と考察 / Results and Discussion

原子層堆積法 (ALD: Atomic Layer Deposition) を用いた、高誘電膜の成膜を行い、その特性を評価した。結果、高誘電膜の成膜を実現することが出来た。また、原子層堆積法を用いた高誘電膜の評価も行い、所望の特性が得られていることを確認した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件