【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24HK0132
利用課題名 / Title
半導体関連における材料の研究開発
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,CVD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小山 芳未
所属名 / Affiliation
三菱ケミカル株式会社 イノベーション戦略本部 デジタルコアプロジェクト部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
酒井 良正,日置 優太,大谷内 健,吉田 絵里菜
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
工藤 昌輝,大西 広,松尾 保孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
HK-614：液体ソースプラズマCVD装置
HK-626：光学干渉式膜厚計
HK-630：微細形状測定機(段差計)
HK-406：X線光電子分光装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
プラズマCVDを用いた低誘電膜の成膜条件検討のためTEOS(tetra ethoxy silane)を用いたシリコン酸化膜を行った．
実験 / Experimental
3インチSiウェハ上に液体ソースプラズマCVD(SAMCO PD-10C1 : HK-614)を使用し，材料流量TEOS 7.0 sccm，O2
233 sccm，真空度40 Pa，RF出力
100W，基板温度200℃の条件においてシリコン酸化膜の成膜を行った．成膜時間を変えることで膜厚の異なる酸化膜形成を行い，光学干渉式膜厚計(Filmetrics
F20-UV : HK-626)による光学的膜厚評価および微細形状測定機(小坂研究所
ET200：HK-630)による触針段差膜厚評価を行った．
結果と考察 / Results and Discussion
まず初めに成膜レート調査のため，成膜時間を600 秒として成膜を実施．その結果SiO2想定の光学的膜厚は1320
nmであり，この結果より上記条件における成膜レートは0.4 秒/nmであることがわかり，以降このレートをもとに，50 / 100 / 200 /
500 nmが想定される成膜時間において4条件の成膜を行った．これらの試料について膜厚評価を行ったところそれぞれ光学的膜厚評価では60 /
115 / 218 / 507 nm，触針段差膜厚評価では57 / 107 / 207 / 484 nm
であり，想定通りの膜厚が得られることが確認できた．次年度は引き続きシリコン酸化膜の膜質の評価の他，材料を変更しての評価を行う予定である．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件