【公開日：2025.06.16】【最終更新日：2025.06.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22NU0202

利用課題名 / Title

培養型プレーナーパッチクランプのSi基板の微細加工

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学 / Nagoya Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代バイオマテリアル/Next-generation biomaterials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ボッシュエッチング,膜加工・エッチング/Film processing and Etching,バイオセンサ/ Biosensor

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

宇理須 恆雄

所属名 / Affiliation

株式会社NANORUS

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

王志宏、長岡靖崇

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

東直輝

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-256：Deep Si Etcher

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

4インチSOI基板の表面、あるいは裏面をレジストやCr薄膜をマスクとしてボッシュエッチングをおこない、微細構造を形成する。

実験 / Experimental

マスクレス露光、アライナーなどでレジストやCr薄膜をパターニングした基板を４インチSi基板にグリースにより張り付け、Deep Si Etcherに装填し、所定の条件でエッチングを行う。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig. 1に加工を行ったパタンの一例を示す。Crマスクで裏面にパターンニングを行ったSOI基板を４インチSi基板にグリースで張り付け、Deep etchingを行った、表面から光学顕微鏡で観察したものである。最小パタンは５μmであるが、SOI基板のSiO₂層に到達しており、400 μmの深堀エッチングが達成されていることがわかる。この後、さらに表面のエッチングマスクを形成した後、同じくDeep etching装置で、エッチングを行う予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

・研究資金：岡崎商工会議所、ものづくり補助金。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

1. Yasutaka Nagaoka, Zhi-Hon Wang, Tsuneo Urisu,” Incubation-type Planar Patch clamp 15thISNM, 7th December “ 2022. Tokushima University.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：4件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：26件