【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24HK0135
利用課題名 / Title
有機絶縁膜のプラズマ処理
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
松村 貴士
所属名 / Affiliation
三井化学ICTマテリア株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
松尾 保孝,中村 圭佑,遠堂 敬史
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Si基盤上の有機絶縁膜にプラズマを照射し、処理条件によって表面状態がどのように変化するか確認すること
実験 / Experimental
・有機絶縁膜がコートされたSi基板上に、N2プラズマを照射し、表面分析を実施・プラズマ照射は、RF出力、圧力、時間を変えて実施・表面分析は、表面粗さ表面元素分析を実施
結果と考察 / Results and Discussion
・いずれの条件でも有機絶縁膜の表面粗さは初期状態から変化しなかった・表面はN原子の割合が増加し、いずれの条件でも初期条件から倍程度に増え、一定の値で飽和すること確認・N2プラズマでは、自己バイアスが働かなったため、イオンアタックが起きず、表面粗さは変化しなったと考えられる。N原子は、プラズマ中のラジカル成分が反応し増加したものと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
プラズマ処理条件および結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件