利用報告書 / User's Reports

  • 印刷する

【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24UT0326

利用課題名 / Title

太陽光を用いたグリーン水素製造に関する研究

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

エネルギー貯蔵/ Energy storage,電子顕微鏡/ Electronic microscope,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

山口 信義

所属名 / Affiliation

東京大学 先端科学技術研究センター

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub),機器利用/Equipment Utilization


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-102:高分解能走査型分析電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体材料を光触媒として用いることで水素製造を行った。

実験 / Experimental

窒化ガリウム基板に助触媒としての金属電極を蒸着し、基板の品質が水素製造に影響を調べた。基板の品質調査はJSM-7800Fを利用したSEM-CL観察により実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

GaN基板の品質を定量的に評価するため、低品質および高品質の基板それぞれについてSEM-CL観察を行い、格子欠陥密度を比較した。低品質GaNでは5×10^8/cm^2であったのに対し、高品質GaNでは2×10^6/cm^2と2桁以上少なかった。欠陥が少ないことにより、金属との界面におけるバンド曲がりが大きくなり、これによって水素発生速度も大きくなると考えられる。今後は実際の光照射測定によって検証を行う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

印刷する
PAGE TOP
スマートフォン用ページで見る