【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0326
利用課題名 / Title
太陽光を用いたグリーン水素製造に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エネルギー貯蔵/ Energy storage,電子顕微鏡/ Electronic microscope,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山口 信義
所属名 / Affiliation
東京大学 先端科学技術研究センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体材料を光触媒として用いることで水素製造を行った。
実験 / Experimental
窒化ガリウム基板に助触媒としての金属電極を蒸着し、基板の品質が水素製造に影響を調べた。基板の品質調査はJSM-7800Fを利用したSEM-CL観察により実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
GaN基板の品質を定量的に評価するため、低品質および高品質の基板それぞれについてSEM-CL観察を行い、格子欠陥密度を比較した。低品質GaNでは5×10^8/cm^2であったのに対し、高品質GaNでは2×10^6/cm^2と２桁以上少なかった。欠陥が少ないことにより、金属との界面におけるバンド曲がりが大きくなり、これによって水素発生速度も大きくなると考えられる。今後は実際の光照射測定によって検証を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件