【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NU0227
利用課題名 / Title
GaNマイクロLEDの研究
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
膜厚・粒度測定/ Film thickness and particle size measurement,段差計/ Step meter,GaN,マイクロLED,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
王 学論
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所GaN-OIL
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
サイズ数μmの小さな半導体LEDを発光素子に用いたマイクロLEDディスプレイは次世代VR/ARスマートグラスのための高輝度・高解像度・省電力のディスプレイとして期待されている。当グループでは、従来の誘導結合プラズマ(ICP)技術の代わりに、半導体材料の超低損傷加工が可能な中性粒子ビームエッチング(Neutral Bema Etching: NBE)技術を用いることで、サイズが小さくても高効率な発光が期待できるGaNマイクロLEDの作製技術の開発を進めている。
実験 / Experimental
産総研が保有する装置群を用いて、市販のInGaN/GaN青色LEDウェハをサイズ数μmから数10μm角のマイクロLEDメサに加工した。作製したマイクロLEDメサの深さを段差計により測定し、ウェハ面内（サイズ～10mm角）での素子間のばらつきを評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
中性粒子ビームエッチング法ではGaNのc面に対して垂直な側面を持つLEDメサが作製可能であることは昨年度までに判明している。段差計で評価した結果、高さ700nm程度のメサに対して、10mm角のウェハ面内での高さのばらつきは20nm程度であり、均一性の高いエッチングができていることが判明した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件