【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NU0234
利用課題名 / Title
Evaluation of the effects of ion irradiation on thin films
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),膜加工・エッチング/ Film processing/etching,赤外・可視・紫外分光/ Infrared/visible/ultraviolet spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西田 航
所属名 / Affiliation
AGC 株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
石川 健治
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
表面波プラズマ装置を用いてプラズマをパルス駆動させ 反応容器内の水素イオンエネルギーとフラックスを計測し た。
実験 / Experimental
【利用した主な装置】表面波プラズマ装置【実験方法】 Fig.1 に示す表面波プラズマ装置を使用しRF出力、圧力、電極－基板間距離、パルス周波数、Dutyをパラメータ に水素プラズマを生成し、エネルギーアナライザーで水素イオンエネルギーとフラッ クスを計測した。
結果と考察 / Results and Discussion
Table.1に示すように電極－基板間距離45mm、グリッド電極電位を70Vに固定した条件でプラズマを連続放電とパルス放電モードに切替えつつ、電極出力とチャン バー圧力をパラメータに水素プラズマを生成し、イオンエネルギー、イオンフラッ クスを計測した。Fig.2はチャンバー圧力、RF powerをパラメータとした結果を図示したものであり、パルス放電で得られるイオンフラックスは連続放電時のフラックスにDuty（off time）分だけ減少する事がわかった。 一方イオンエネルギーについては、同一条件下においては放電モードには関係なくほぼ同じ値となった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table.1 照射条件パラメータ
Fig.1 表面波プラズマ装置
Fig.2 実験結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件