【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KU1039
利用課題名 / Title
透明電極用酸化物半導体のレーザーアニール処理
利用した実施機関 / Support Institute
九州大学 / Kyushu Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,太陽電池/ Solar cell,赤外・可視・紫外分光/ Infrared/visible/ultraviolet spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田中 洋平
所属名 / Affiliation
九州大学大学院システム情報科学研究院 薮田研究室
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
佐藤舞起
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
a-ITO薄膜を熱炉アニール処理した場合とレーザーアニールで処理した場合の比較を行うため、一般的な組成で成膜したITO薄膜の熱炉アニールで熱処理したサンプルの透過率を測定した。
実験 / Experimental
ガラス基板0.5mm上にRFスパッタで100nmのITO膜を200~500℃で大気炉中で1hrアニール処理し透過率の変化を確認した
結果と考察 / Results and Discussion
可視光領域では200℃までは透過率の変化はほとんどなかったが、300℃以上で処理したものは透過率のわずかな向上しており、紫外領域での透過率も向上していた。SEM観察の結果も含めて300℃以上のサンプルで結晶化が起こっており、本組成膜は200℃以上300℃以下の温度条件で結晶化が進むことが分かった。今後はレーザーアニールを本膜に行い比較し、レーザー照射条件検討を行う予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1In2O3:SnO2(Sn10%wt)の大気炉アニール処理による透過率の変化
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件