【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.11】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0328

利用課題名 / Title

FABが与えるSQUIDへの影響

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

量子コンピューター/ Quantum computer,超伝導/ Superconductivity,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

石山 照瑛

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

渋谷 直哉

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-025：スパッタ成膜装置(芝浦）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

目的：超伝導デバイスの3D化を目指すために、表面活性化接合（Surface Activated Bonding:SAB）という手法を試みている。この手法では、接合面に高速アルゴン原子ビーム（Ar-Fast Atom Beam:Ar-FAB）を照射する必要がある。そこで、このAr-FABがジョセフソン接合にどのような影響を与えるのか調査するため、同じく超伝導デバイスである超伝導量子干渉計 (superconducting quantum interference device:SQUID)にAr-FABを照射し、特性を比較する。
用途：デバイスを作製するために、Al₂O₃とSiO₂の薄膜をスパッタする。

実験 / Experimental

Al₂O₃薄膜をスパッタした。

結果と考察 / Results and Discussion

条件
サンプル：4 inch Si/SiO₂ウエハ
Arガス流量：9.5 SCCM
O₂ガス流量：0.5 SCCM
スパッタ圧力：0.5Pa
入射電力：200 W
スパッタ時間：30 min

以上の条件でスパッタを行った結果、膜厚は図のようになった。
レートは1.05 nm/minとなった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図　Al2O3 30min スパッタ

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件