【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.11】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24AT0356

利用課題名 / Title

シリコン基板上での表面プラズモンの制御とその応用に関する研究

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ダイシング/ Dicing,フォトニクス/ Photonics,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

藤田 雅之

所属名 / Affiliation

公益財団法人レーザー技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

真部 高明,岸村 眞治,井上 良幸,鈴村 正彦,増田 賢一

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-011：i線露光装置
KT-218：レーザダイシング装置
KT-234：深堀りドライエッチング装置（１）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

超短パルスレーザを加工しきい値近傍のフルーエンスで物質表面に照射すると、レーザ誘起表面微細周期構造が自己形成される。今回、微細構造の高精度化および制御性の向上を目指し、京都大学ナノテクノロジーハブ拠点と産総研ナノプロセシング施設の設備を利用してレーザ誘起構造形成の起点となる微細パターンを作製した。

実験 / Experimental

Si 基板上に京大ナノファブのA08 レジスト塗布装置 でレジストを塗布し、あらかじめ用意したレチクルと産総研NPFの i線ステッパー（AT-011)を用いて露光し2次元凹凸形状物を試作した。レーザ誘起現象は照射レーザ波長（800 nm）に依存するため、構造物のユニット形状のスケールを800 nm〜0.008 mm の範囲内で800 nmの整数倍となるように設計した。

結果と考察 / Results and Discussion

レチクルとi線ステッパーを用いて作製されたアレイ状の微細形状をSEMで観察し、線幅 800nm の平行直線、ジグザグおよび2次元凹凸形状（○、△、□）物をアレイ状に形成され、設計通りの形状が得られたことを確認した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件