【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0373
利用課題名 / Title
ALD用B含有プリカーサーの開発検討
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
米田 英司
所属名 / Affiliation
JSR株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
B含有プリカーサーのALD成膜検討による、プリカーサー能力としての見極めを目的とする。結果、膜成長が低く、良好な膜は得られず、プリカーサーとしての有用性は確認できなかった。
実験 / Experimental
オックスフォード社製の原子層堆積装置を用いて成膜検討を実施。基板温度、プラズマパワー/バイアス条件、H2プラズマプロセス導入を試みた。
結果と考察 / Results and Discussion
基板温度、プラズマパワー/バイアス条件振りでは成膜成長が見られず、またH2プラズマプロセス導入で若干の膜成長が改善されたが、大きな改善は見られず。現時点では、プリカーサーとしての可能性がない、もしくは成膜条件が適切ではないかは不明であり、今後も継続して検討を進める。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件