【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0329
利用課題名 / Title
EBSD分析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
半導体デバイス, シリコン,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子回折/ Electron diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
稲葉 雄大
所属名 / Affiliation
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
山口雄大
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
福川昌宏
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体デバイスの開発では応力・歪の制御が課題となっており、高空間分解能かつ高精度な解析技術が求められている。電子線後方散乱(Electron Back-Scattering Diffraction; EBSD)法は走査電子顕微鏡を使った高空間分解能の結晶方位解析手法であり、歪解析に利用できる可能性がある。そこで本研究では、EBSD分析によりSiの歪が検出できるかを確認した。
実験 / Experimental
歪を導入したSiに対して収束イオンビームを用いて断面試料に加工し、EBSDによるマッピング測定を実施した。歪解析のために、マッピング各点でEBSDパターンの画像を取得した。装置はJSM-7000Fを用いた。
結果と考察 / Results and Discussion
EBSDパターンから歪を算出できるか試みたが、パターンノイズが非常に大きく、高精度な解析は困難であった。また、EBSDパターンを各点で保存すると測定に非常に長い時間がかかることが分かり、広範囲のマッピングにも課題がある。解析の高精度化・効率化には、より高感度かつ高速な最新のEBSD検出器を利用する必要があると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 測定で得られたSiのEBSDパターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件