【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0226
利用課題名 / Title
デバイス材料の構造解析のためのTEM技術の習得2
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光デバイス/ Optical Device,電子顕微鏡/ Electronic microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
上野 大治郎
所属名 / Affiliation
デクセリアルズ フォトニクスソリューションズ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
今野豊彦
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体製品の断面観察を行い、欠陥解析での発生メカニズムの解明や構造解析での評価を行うことを目的として、TEM講習を通し、技術を習得する。
実験 / Experimental
イオンスライサーで作成した試料を用いて、超高分解能透過電子顕微鏡 (JEM-ARM200F)にて、暗視野像、明視野像、位相コントラスト、STEM、EDSの観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
TEM講習を通して、超高分解能透過電子顕微鏡 (JEM-ARM200F)にて暗視野像、明視野像(Fig. 1)、位相コントラスト、STEM、EDSなど一通りの観察を行えるようになった。引き続き、超高分解能透過電子顕微鏡 (JEM-ARM200F)を用いて、半導体製品の断面観察を行い、欠陥解析での発生メカニズムの解明や構造解析での評価を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 BF像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件