【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TU0208

利用課題名 / Title

デバイス材料の構造解析のためのTEM技術の習得

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

光デバイス/ Optical Device,電子顕微鏡/ Electronic microscope

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

上野 大治郎

所属名 / Affiliation

デクセリアルズ フォトニクスソリューションズ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

今野豊彦

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-504：超高分解能透過電子顕微鏡
TU-517：透過電子顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体製品の断面観察を行い、欠陥解析での発生メカニズムの解明や構造解析での評価を行うことを目的として、TEM講習を通し、技術を習得する。

実験 / Experimental

AlやAuの標準試料を用いて、透過電子顕微鏡 (JEM-2000EXII)、超高分解能透過電子顕微鏡 (JEM-ARM200F)にて、暗視野像、明視野像、位相コントラスト、STEM、EDSの観察を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

TEM講習を通して、透過電子顕微鏡 (JEM-2000EXII)を使用してTEMの原理からの理解を進め、超高分解能透過電子顕微鏡 (JEM-ARM200F)にて暗視野像、明視野像、位相コントラスト(Fig. 1)、STEM、EDSなど一通りの観察を行えるようになった。引き続き、超高分解能透過電子顕微鏡 (JEM-ARM200F)を用いて、半導体製品の断面観察を行い、欠陥解析での発生メカニズムの解明や構造解析での評価を行う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig.1 Auの位相コントラスト像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件