【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0197
利用課題名 / Title
高真空ウェハレベルパッケージング技術
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,集束イオンビーム/ Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鈴木 裕輝夫
所属名 / Affiliation
東北大学マイクロシステム融合研究開発センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
竹中佳生
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
電子デバイス向けのウェハレベル高真空封止の研究を行っている。今回、シリコンマイグレーション現象にてパッケージを封止するプロセス条件によって内部電子デバイス（リゾネータMEMS)の特性が大きく変化した。原因を究明するにはCAP（蓋）ウェハに貫通穴をFIBにて加工し、真空チャンバー内にて真空度を変化させながらリゾネータMEMSの特性を評価する必要がある。
実験 / Experimental
集束イオンビーム加工装置を使用して、CAP（蓋）ウェハに貫通穴加工CAP（蓋）ウェハに貫通穴を作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
リゾネータMEMSのQ値から真空度を特定するためにCAP（蓋）にFIB加工にて30×30 μmの貫通穴を加工した。加工後のサンプルを真空計付き真空チャンバー内で計測したところ、内部封止圧力は3.1~4.9 Paの範囲であることが分かった。リゾネータMEMSの動作に問題の無いウェハレベル高真空封止が実証された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 根本 展聡、鈴木 裕輝夫、田中 秀治、シリコンマイグレーションシール(SMS)ウェハレベルパッケージング技術の高真空化と高温保管特性、第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム、26A2-C-4
- Nobutoshi Nemoto, Yukio Suzuki, and Shuji Tanaka, INFLUENCE OF DIFFUSIVE PENETRATION OF SMALL MOLECULES/ATOMS INTO VACUUM CAVITY SEALED BY SILICON MIGRATION, Transducers2025, M4P.06
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件