【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0175
利用課題名 / Title
ゾルゲル装置を用いた強誘電体薄膜形成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ゾル・ゲル成膜,強誘電体材料
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
湖海 結菜
所属名 / Affiliation
デクセリアルズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
生内 俊光,中西 大地
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-170：ゾルゲル自動成膜装置
TU-323：XRD
TU-051：ミカサ スピンコータ
TU-054：ホットプレート
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
基板上に強誘電体材料（PLZT）の膜を作製するために、東北大学の設備のゾルゲル自動製膜装置を用いて膜を作製し、XRDを用いて結晶構造の確認を行った。
実験 / Experimental
スピンコーターにシリコンウエハを設置し、Seed層を塗布後ホットプレートにてベークを行ったのち、高速熱アニールを行った。次にPLZT膜を、ゾルゲル自動製膜装置を用いて作製した。その後、作製した膜の結晶構造をXRDを用いて測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
XRD測定結果より、PLZT由来のピークの検出を確認したことから結晶ができていることを確認した（図1）。これよりゾルゲル装置を使用することでPLZTの膜が作製できることを確認した。 また、実験によりアニール条件が結晶の作製に影響していることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. PLZTのゾル・ゲル成膜後のXRD測定結果
図１
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件